CXDM1002N TR PBFREE
Número de Producto del Fabricante:

CXDM1002N TR PBFREE

Product Overview

Fabricante:

Central Semiconductor Corp

Número de pieza:

CXDM1002N TR PBFREE-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89

Inventario:

2739 Pcs Nuevos Originales En Stock
12789624
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CXDM1002N TR PBFREE Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Central Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-89
Paquete / Caja
TO-243AA
Número de producto base
CXDM1002

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
CXDM1002N
Recursos de diseño
CXDM1002N Spice Model

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
CXDM1002N DKR
CXDM1002N TR LEAD FREE
1514-CXDM1002NTRPBFREETR
CXDM1002N CT
CXDM1002N TR
1514-CXDM1002NTRPBFREEDKR
CXDM1002N DKR-DG
1514-CXDM1002NTRPBFREECT
CXDM1002NTR-DG
CXDM1002NCT
CXDM1002NCT-DG
CXDM1002N CT-DG
CXDM1002NDKR
CXDM1002NTR
CXDM1002N TR-DG
CXDM1002NDKR-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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